TSM1N45CT B0G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

TSM1N45CT B0G

Product Overview

Produttore:

Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di Parte:

TSM1N45CT B0G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 450 V 500mA (Tc) 2W (Tc) Through Hole TO-92

Inventario:

12895777
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TSM1N45CT B0G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
450 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.25Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.25V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
235 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
TSM1N45CTB0G
TSM1N45CT B3G-DG
TSM1N45CT B0G-DG
TSM1N45CT B0GTR
TSM1N45CT B0GTR-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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